300mm晶圆自动搬送机AL120-12简介：AL120-12晶圆搬送机对应可使用FOUP（装载口）和FOSB，适用于低成本的后期检查。安全且符合人体工程学的设计确保了操作人员在搬送晶圆时（包括薄晶圆和变形晶圆）的效率和安全。n人机工程学设计，操作方便=可以自由设置的检查模式，在设计上考虑了后道工程中的操作性，尤为重视设备的操作简便性。=分别对应FOUP(Load Port）和FOSB的两种机型。n坚固、可靠和安全传送=延续了上一代机型的坚固性、可靠性和安全性，能够安全可靠的传送300 mm晶圆。=薄片，

　　AL120晶圆搬送机可对应200mm以下晶圆尺寸的硅、化合物晶圆，可以搬送薄片晶圆，非常适合于前道到后道工程的晶圆检查。※适应范围广、搭配灵活n对应多种尺寸组合=推出了200 mm专用型、200mm/150 mm兼用型和150 mm型（对应小于150 mm的晶圆）的3种型号。除此以外，您还可以根据检查模式，选用微观检查专用型号"L型"或微观•宏观检查兼用型号"LMB型"。n薄片检查=对应薄片制造厂家的需求，AL120-LMB-90搭载的新型搬送手臂的设计可以搬运整盒

　　BINDER电池测试箱产品描述：BINDER 的电池测试箱特别适合在电池的质量力求或者方面进行老化、性能和压力测试。LIT MK 系列的所有箱体均标配一套探测装置和灭火装置。 BINDER电池测试箱主要特点示例：温度范围：-40 C 至 +110 C○当温度设定为120C时，立可调的温度装置等级2启动 的设定温度○可逆式不锈钢泄压伐安装在设备顶部中央○增强型箱门锁紧装置○监控测试区域大气中的 CO、H2、O2 含量○用于惰性化处理的装置○CO2灭火装置○APT.line™ 内腔预热技术○样品的可编程冷凝保

　　电子半导体真空干燥箱产品型号：BPZ-6933B BPZ-6503B BPZ-6213 BPZ-6213B BPZ-6123 BPZ-6123B BPZ-6063 BPZ-6063B BPZ-6033 BPZ-6033B电子半导体真空干燥箱用途概述：本产品适用于电子产品生产过程的脱泡、脱水、硬化和洗净处理后的干燥等真空状态下的热处理，广泛用于锂离子电池、LED光电元件、晶振等电子产品生产工艺的真空干燥处理。电子半导体真空干燥箱产品特点：● 工作室采用不锈钢板制成，产品经久耐用，便于清洁。● 长方形真空室，

　　台式XRF光谱仪_RoHS检测仪|EA1000AIII,EA1400&EA6000VX简介：EA1000AIII和EA1400 XRF分析仪专为RoHS（有害物质限制）设计，15年来一直受到信任，为需要遵守本指令的企业提供一致的结果。通过对有害物质的简单快速的测量，您可以确保能够满足环境法规的要求。在专用RoHS分析的EA1000系列和RoHS、镀层和元素分析的EA6000范围之间进行选择。日立XRF RoHS分析仪特点：操作方便自动采样灵活校准以适应新的RoHS标准自动突出显示您正在分析的内容以

　　PHASCOPE PMP10手持式电镀镀层测厚仪非常适合测量PCB板上镀铜厚度使用手持式测厚仪，如PHASCOPE®PMP10，可以简单地测量电镀镀层，甚至是小镀锌部件，如螺母、螺栓和螺钉。通用且易于使用，它还可以确定有色金属镀层的厚度，例如JUE缘基板如PCB板上镀铜，铁上镀镍，铁上镀锌或镀铜，黄铜或青铜上镀铜。PHASCOPE PMP10有几个特点，可以节省您的时间，并可以提高电镀质保过程的质量。当与ESD2.4探头配对时，它允许您快速测量小部件上的镀层，因为通常不需要对测量点的特定几

　　本设备为非接触无损测量设备，测试过程中对硅片表面以及内部不会造成损伤。特别适用于代替四探针法用于半导体硅片成品分选检验。一台仪器可以同时对厚度和电阻率两个指标进行测试分选，减少了测试工序和测试时间，提高了测试效率。非接触厚度电阻率测试仪仪器构成：1、测试主机：1 台2、电源线：1 根3、串口数据线：1 根4、电脑端软件：1 套 5、塑料定位柱：2 个主要指标 ：样品要求：厚度小于 600um 的半导体硅片以及其他类似材料。电阻率范围：L 档： 0.2-5 Ω•cm H 档： 5-50Ω•cm厚度范

　　MX10系列硅片厚度和平整度（TTV）测量仪可快速、高精度地测量硅晶片的厚度和平整度（TTV），它可以在几秒钟内适应不同的厚度范围。E+H MX10系列主要型号如：MX1012、MX1018、MX102-6、MX102-8，适用于不同尺寸范围硅片厚度检测。

　　晶圆电阻率测试仪采用非接触方式测量晶圆电阻率,测量P/N类型和晶圆厚度,适合硅材料和其它材料的Sheet Resistance测量。晶圆电阻率测试仪应用晶圆制造，晶圆品控，晶圆检测等。E+H晶圆电阻率测试仪规格参数示例参考：1、MX601高阻抗晶圆电阻率测量仪MX601晶圆电阻率测量仪主要用于测量高阻抗晶圆的电阻率及薄片电阻，采用非接触的电容原理，测量速度快，测量精度高，重复性好。主要技术参数：1）测量范围：5 E+4 —5 E+9 Ωc m2）晶圆大小： 适用4，6寸3）传感器尺寸： 10 mm4）晶

　　MX30系列晶圆测厚仪产品简介：MX 30系列是一款坚固而稳定的仪器，用于快速简单地测量直径为50mm, 75mm, 100mm, 150mm, 200mm和300mm各种晶圆的厚度。MX30系列晶圆测厚仪测量原理：MX30系列采用电容式距离测量方法，可用于晶圆厚度的非接触式测量。电容式距离传感器位于要测量的物体上方和下方的刚性支架中，并且彼此相距特定距离。到物体的两个距离之和是其厚度的量度。计算值可以从五位数字显示器上读取，也可以通过仪器的内置串行接口输出。可以用量块检查校准。MX30系列晶圆测厚仪主要

　　MX20 系列最适用于硅片、太阳能晶片和其他晶片的进料检验、流程鉴定和流程控制。可部分集成到自动化流程中。MX 20 系列的测量类型：厚度 平整度（TTV） 弯曲度 翘曲度 E+H非接触式晶片几何参数【厚度/平整度（TTV）/弯曲度/翘曲度】测量仪MX20系列参考信息：1、MX 2012应用：用于 300 毫米硅晶片的高精度芯片生产⼏何测量仪。MX2012 可作为手动装载的独立工作站使用，每小时至少可生产 50 块硅片。它有 69 个测量点，能以高分辨率控制厚度、弯曲度和翘曲度。还可选配晶圆应力评估功能。

　　介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷，还有复合材料等的一项重要的物理性质，通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数（ε），可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据；仪器的基本原理是采用高频谐振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制，Q值量程自动转换，数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至更低，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量值更为准确。仪器能在较高的测试频率条件下，测量