所属系列：ZJYQ-ZYQCLMP-HITACHI
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离子研磨仪IM4000II规格：
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主要内容 |
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使用气体 |
氩气 |
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氩气流量控制方式 |
质量流量控制 |
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加速电压 |
0.0 ～ 6.0 kV |
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尺寸 |
616(W) × 736(D) × 312(H) mm |
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重量 |
主机53 kg＋机械泵30 kg |
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截面研磨 |
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快研磨速度（Si材料） |
500 µm/h*1以上 |
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大样品尺寸 |
20(W）×12(D）×7（H）mm |
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样品移动范围 |
X±7 mm、Y 0 ～+3 mm |
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离子束间歇加工功能 |
1秒 ～ 59分59秒 |
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摆动角度 |
±15°、±30°、±40° |
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广域截面研磨功能 |
- |
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平面研磨 |
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大加工范围 |
φ32 mm |
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大样品尺寸 |
Φ50 X 25 (H) mm |
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样品移动范围 |
X 0～＋5 mm |
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离子束间歇加工功能 |
1秒 ～ 59分59秒 |
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旋转速度 |
1 rpm、25 rpm |
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摆动角度 |
±60°、± 90° |
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倾斜角度 |
0 ～ 90° |
*1将Si片从遮挡板边缘突出100 µm并加工1小时的深度。
选配项：
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项目 |
内容 |
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低温控制功能*2 |
通过液氮间接冷却样品，温度设定范围：0°C ～ －100°C |
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硬遮挡板 |
使用时间约为标准遮挡板的2倍（不含钴） |
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加工过程观察用显微镜 |
放大倍数 15× ～ 100× 双目型、三目型（可装CCD） |
*2需与主机同时订购。冷却温度控制功能在使用时，部分功能可能使用有限。
