晶圆电阻率测试仪采用非接触方式测量晶圆电阻率,测量P/N类型和晶圆厚度,适合硅材料和其它材料的Sheet Resistance测量。
晶圆电阻率测试仪应用
晶圆制造，晶圆品控，晶圆检测等。
E+H晶圆电阻率测试仪规格参数示例参考：
1、MX601高阻抗晶圆电阻率测量仪
MX601晶圆电阻率测量仪主要用于测量高阻抗晶圆的电阻率及薄片电阻，采用非接触的电容原理，测量速度快，测量精度高，重复性好。
主要技术参数：
1）测量范围：5 E+4 —5 E+9 Ωc m
2）晶圆大小： 适用4，6寸
3）传感器尺寸： Ø 10 mm
4）晶圆厚度范围：350 µm to 650 µm
5）测量时间：≤4 秒
6）测量重复性：± 1%(在恒定环境温度下, Std. 1 Sigma)
应用：
适用于SIC，GaN,GaAS,InP等半导体裸晶圆的电阻率测量。

2、MX604 硅锭电阻率测量仪
MX604 电阻率测量仪主要用于硅锭的电阻率测量，采用非接触的电涡流测量技术，测量范围广，测量速度快，测量精度高。

MX 604采用非接触式涡流法。采用一个开放式的高频线圈的磁力线穿透硅材料并产生涡流，该涡流会造成振荡器的功率损失，功率损失与样品的电导率成正比，据此可以计算出电阻率。
主要技术参数：
1）标准测量探头测量范围：0.25 - 25Ωcm
2）S1测量探头测量范围： 2 - 200 Ωcm
3）S2测量探头测量范围： 0.05 - 5 Ωcm
4）S3测量探头测量范围： 0.001- 0.1Ωcm
5）测量精度：±3%
6）测量探头直径：18 mm
7）可同时配置4个测量探头

3、MX 604-S晶圆方块电阻测量仪
MX 604-S 是一款通用的晶圆方块电阻测量仪，这个易于使用的测量工具是专为半导体晶圆方块电阻的测量而设计的。也可以用于测量高阻抗基片上导电薄膜的方块电阻。MX 604-S采用非接触式涡流法。采用一个开放式的高频线圈的磁力线穿透硅材料并产生涡流，该涡流会造成振荡器的功率损失，功率损失与样品的电导率成正比，据此可以计算出电阻率。
主要技术参数：
1）晶圆尺寸: 直径 2” 至 8”
2）厚度：最大1000 µm
3）方块电阻测量范围：10–2000Ω/sq.
                                     0.05–10 Ω/sq.
4）测量精度： +/- 3% (0.05–1000 Ω /sq.)
                           +/- 5% ( 2000 Ω / sq.)
5）探头直径：20 mm
6）有效面积：12 mm
7）传感器与表之间的间隙：1400 µm

4、MX604-ST 晶圆电阻率与厚度测量仪
MX 604-ST 是在MX 604-S晶圆电阻率测量仪的基础上增加了晶圆厚度测量的电容对测量传感器，可同时获得晶圆的厚度，电阻率，TTV的数值，厚度平均值及标准差等数据。
主要技术参数：
1）晶圆尺寸： 2”-8”
2）晶圆厚度范围：250–750 µm
3）厚度精确度： +/- 1µm
4）电容探头直径： 20mm
5）方块电阻测量范围：10–2000Ω/□
6）电阻率测量范围：0.25–50Ωcm (thk.=250µm)
                                 0.75–150Ωcm (thk.=750µm)
7）方块电阻测量精度：±3% (10-1000Ω/□)
                                    ±5% (2000Ω/□)
8）电涡流传感器：直径20 mm
9）电涡流传感器与工作台之间的间隙： 1400 µm
10）测量时间：0.3 s

5、MX608 半自动晶圆电阻率厚度测量仪
MX 608 是自动的多功能测量设备，通过扫描的方式获得整个晶圆的电阻率，厚度，TTV的数值，也可以获得晶圆载流子类型信息。该仪器是一种小型台式仪器，在测量时，晶圆片会自动移动到仪器内部，移动过程中或测量经过在晶圆的中心整条线的数据，横向分辨率最高可达1mm。晶圆片可以自动旋转，最多扫描18次，其中掺杂剂类型是通过非接触式P/N传感器确定的。
主要技术参数：
晶圆直径                                                                         150mm , 200 mm
厚度                                                                                 500 – 800 µm
最大Warp                                                                        100 µm
电阻率                                                                             0.001 – 200 Ω·cm
载流子类型检测                                                                0.020 – 200 Ω·cm

厚度测试
厚度精度                                                                       ± 0.3 µm
TTV精度                                                                        ± 0.1 µm
重复性精度                                                                   ± 0.05 µm

电阻率测试
精度                                 0.001 – 80 Ω·cm                  ± 1 %
                                        200 Ω·cm                              ± 5 %
重复测量精度                0.001 –80 Ω·cm                    ± 0.2 %
                                        200 Ω·cm                              ± 2 %

边缘
最大可测 (150 mm)                                                    130 mm
最大可测 (200 mm)                                                    180 mm

测量时间 
1 点 (中心)                                                                  7 s
1 次扫描 (最大130或180 个点)                                大约10 s
18 次扫描 (10°)                                                         大约3 min

6、MX6012 半自动晶圆电阻率厚度测量仪
MX 6012 是半自动的多功能测量设备，适用于8,12寸晶圆，通过扫描的方式获得整个晶圆的电阻率，厚度，TTV的数值，也可以获得晶圆载流子类型信息。该仪器是一种小型台式仪器，在测量时，晶圆片会自动移动到仪器内部，移动过程中或测量经过在晶圆的中心整条线的数据，晶圆片可以90°自动旋转，最多扫描2次，其中掺杂剂类型是通过非接触式P/N传感器确定的。
主要技术参数：
晶圆直径                                                                         200mm , 300 mm
厚度                                                                                 600 – 900 µm
最大Warp                                                                        100 µm
电阻率                                                                            0.001 – 200 Ω·cm
载流子类型检测                                                            0.020 – 200 Ω·cm

厚度测试
厚度精度                                                                       ± 0.3 µm
TTV精度                                                                        ± 0.1 µm
重复性精度                                                                   ± 0.05 µm

电阻率测试
精度                                 0.001 – 80 Ω·cm                  ± 1 %
                                        200 Ω·cm                              ± 5 %
重复测量精度                0.001 –80 Ω·cm                    ± 0.2 %
                                        200 Ω·cm                              ± 2 %

边缘
最大可测 (300 mm)                                                    280 mm
最大可测 (200 mm)                                                    180 mm

测量时间 
1 点 (中心)                                                                 10 s
5点 (1次扫描点)                                                        15 s
9点 （2次扫描）                                                       30 s