E+H非接触式晶片几何参数【厚度/平整度（TTV）/弯曲度/翘曲度】测量仪MX20系列参考信息：

1、MX 2012
应用：
用于 300 毫米硅晶片的高精度芯片生产⼏何测量仪。
MX2012 可作为手动装载的独立工作站使用，每小时至少可生产 50 块硅片。它有 69 个测量点，能以高分辨率控制厚度、弯曲度和翘曲度。还可选配晶圆应力评估功能。直立位置测量可避免重力引起的下垂。系统可转换为 200 毫米晶片测量系统。配有功能强大的MX-NT 操作软件。

测量类型：厚度 平整度（TTV）

特点：
晶片直径 300 毫米
厚度精度 ±0.5 µm
分辨率 50nm
厚度范围 500 - 1000 µm
自动晶片⼏何测量仪 是
软件 MXNT

 2、MX 2012-H
应用：
用于 300 毫米硅片的快速芯片生产⼏何测量仪。
MX2012-H 是手动装载的独立工作站，每小时至少可生产 50 块硅片。它有 69 个测量点，能以高分辨率控制厚度、弯曲度和翘曲度。还可选配晶圆应力评估功能。系统可转换为 200 毫米晶片测量系统。配有功能强大的MX-NT 操作软件。

测量类型：厚度 平整度（TTV）

特点：
晶片直径 300 毫米
厚度精度 ±0.5 µm
分辨率 50nm
厚度范围 500 - 900 µm
自动晶片⼏何测量仪 是
软件 MXNT

3、MX 2013
应用
用于 200 毫米或 300 毫米标准薄硅片的自动⼏何测量仪。

MX2013 可作为半自动独立工作站使用。它有 37 个测量点，可在 50 秒内测量 300 毫米硅片。它能以高分辨率控制厚度、翘曲度、弯曲度 & SORI（与 Sori 相对应）。可选配 200 毫米晶片测量系统。配有功能强大的MX-NT 操作软件。

测量类型：厚度 平整度（TTV）

特点：
晶片直径 200 毫米、300 毫米
精度 ±1 微米
分辨率 0.1 微米
厚度范围 100 - 750 µm
自动晶片⼏何测量仪 是
软件 MXNT

4、MX 2018-W
应用
用于 450 毫米硅晶片的自动弯曲度和翘曲度测量仪。

MX2018-W 可以测量 450 毫米尺寸的硅片。直立位置测量可避免因重力引起的巨大下垂。通过 73 个测量点，它可以高分辨率地控制中心厚度、弯曲度和翘曲度。我们建议将 MX2018-W 与 MX1018 结合使用，以覆盖所有⼏何特性。在机械⼿分选机中，这两个模块可以同时测量两个晶片，而不会影响产量。随附功能强大的MX-NT 操作软件。

测量类型：厚度 平整度（TTV）

特点：
晶片直径 300 毫米、450 毫米
经纱精度 ±5 µm + 读数的 5
经纱精度 ±0.5 µm + 读数的 1
经纱范围 800 µm
自动晶片⼏何测量仪 是
软件 MXNT

5、MX 203-4-21
应用：
用于 2-4" 硅晶片的快速非接触式⼏何测量仪。
高产能：MX203-4-21 有 21 个测量点，最多可在 5 秒内测量每个硅片。5 秒钟。它可以控制厚度、弯曲度和翘曲度。还可选配硅片应力评估功能。通过不同的中心框架灵活调整晶片尺寸。配有功能强大的MX-NT 操作软件。

测量类型
厚度 平整度（TTV） 弯曲度 翘曲度

特点
晶片直径 50毫米、75毫米、100毫米
厚度精度 ±0.5 µm
分辨率 50nm
厚度范围 200 - 800 µm
自动晶片 无
软件 MXNT

6、MX 203-4-37-Q
应用
用于 2-4" 非导电和半绝缘晶片的快速非接触式⼏何测量仪。
高产能：MX203-4-37-Q 具有 37 个测量点，最多可在 10 秒内测量每个晶片。10 秒。它可以控制厚度和平面度。通过各种中心框架灵活调整晶片尺寸。适用于非导电基底（石英、石英石、铌酸锂、钽酸锂）和半绝缘材料（如砷化镓或碳化硅）制成的晶片。配有功能强大的MX-NT 操作软件。

测量类型：厚度 平整度（TTV）

特点：
晶片直径 50毫米、75毫米、100毫米
精度 ±1 微米
分辨率 0.1 微米
厚度范围 300 - 800 µm
非导电基底 是
半绝缘材料 高于 107 欧姆*厘米
软件 MXNT

7、MX 203-58-37-B
应用：
用于 125 至 200 毫米薄硅晶片的快速非接触式⼏何测量仪。
高产能：MX203-58-37-B 的 37 个测量点可在最多 8 秒内测量每个晶片。8 秒。它可以控制背面研磨后的厚度、弯曲度和翘曲度。通过不同的中心框架灵活调整晶片尺寸。配有功能强大的MX-NT 操作软件。

测量类型：厚度 平整度（TTV） 弯曲度 翘曲度

特点：
晶片直径 125 毫米、150 毫米、200 毫米
厚度精度 ±2.0 µm
分辨率 75nm
厚度范围 200 - 800 µm
自动晶圆 无
弯曲度和翘曲度包括重力连接 无
软件 MXNT


8、MX 203-6-33
应用
用于 100-150 毫米硅晶片的快速非接触式⼏何测量仪。
高产能：MX203-6-33 有 33 个测量点，最多可在 7 秒内测量每个硅片。7 秒。它可以控制厚度、弯曲度和翘曲度。还可选配硅片应力评估功能。通过不同的中心框架灵活调整晶片尺寸。配有功能强大的MX-NT 操作软件。

测量类型：厚度 平整度（TTV） 弯曲度 翘曲度

特点：
晶片直径 100毫米、125毫米、150毫米
厚度精度 ±0.6 µm
分辨率 50nm
厚度范围 300 - 900 µm
自动晶片 无
软件 MXNT

9、MX 203-6-33-B
应用
用于 100-150mm 薄硅晶片的快速非接触式⼏何测量仪。
高产能：MX203-6-33-B 有 33 个测量点，最多可在 7 秒内测量每个硅片。它可以控制背面研磨后的厚度、弯曲度和翘曲度。通过不同的中心框架灵活调整晶片尺寸。配有功能强大的MX-NT 操作软件。

测量类型：厚度 平整度（TTV） 弯曲度 翘曲度

特点：
晶片直径 100毫米、125毫米、150毫米
厚度精度 ±0.6 µm
分辨率 50nm
厚度范围 100 - 700 µm
自动晶片 无
弯曲度和翘曲度包括重力连接 无
软件 MXNT

10、MX 203-6-33-Q
应用
用于 75-200 毫米非导电和半绝缘晶片的快速非接触式⼏何测量仪。
高产能：MX203-6-33-Q 具有 33 个测量点，最多可在 10 秒内测量每个晶片。10 秒。它可以控制厚度和平面度。通过各种中心框架灵活调整晶片尺寸。适用于非导电基板（石英、石英石、铌酸锂、钽酸锂）和半绝缘材料（如砷化镓或碳化硅）制成的晶片。配有功能强大的MX-NT 操作软件。

测量类型：厚度 平整度（TTV）

特点：
晶片直径 75mm - 150mm
精度 ±1 微米
分辨率 0.1 微米
厚度范围 300 - 800 µm
非导电基底 是
半绝缘材料 高于 107 欧姆*厘米
软件 MXNT

11、MX 203-8-37
应用
用于 150 毫米和 200 毫米硅晶片的快速非接触式⼏何测量仪。
高产能：MX203-6-33 的 37 个测量点可在最多 8 秒内测量每个晶片。8 秒。它可以控制厚度、弯曲度和翘曲度。还可选配硅片应力评估功能。通过不同的中心框架灵活调整晶片尺寸。配有功能强大的MX-NT 操作软件。

测量类型：厚度 平整度（TTV） 弯曲度 翘曲度

特点：
晶片直径 150 毫米、200 毫米
厚度精度 ±0.5 µm
分辨率 50nm
厚度范围 400 - 1000 µm
自动晶片 无
软件 MXNT

12、MX 203-8-37-B
应用
用于 150 毫米和 200 毫米薄硅晶片的快速非接触式⼏何测量仪。
高产能：MX203-8-37-B 有 37 个测量点，最多可在 8 秒内测量每个晶片。8 秒。它可以控制背面研磨后的厚度、弯曲度和翘曲度。通过不同的中心框架灵活调整晶片尺寸。配有功能强大的MXNT 操作软件。

测量类型：厚度 平整度（TTV） 弯曲度 翘曲度

特点：
晶片直径 15 毫米、200 毫米
厚度精度 ±0.5 µm
分辨率 50nm
厚度范围 200 - 700 µm
自动晶片 无
弯曲度和翘曲度包括重力连接 无
软件 MXNT

13、MX 203-8-49-B
应用
用于 100 - 200 毫米薄硅晶片的细网非接触式⼏何测量仪。
高产能：MX203-8-37-B 有 49 个测量点，最多可在 12 秒内测量每个晶片。12 秒。它可以控制背面研磨后的厚度、弯曲度和翘曲度。通过不同的中心框架灵活调整晶片尺寸。配有功能强大的MX-NT 操作软件。

测量类型：厚度 平整度（TTV） 弯曲度 翘曲度

特点：
晶片直径 100-200 毫米
精度 ±0.6 µm
分辨率 50nm
厚度范围 150 - 650 µm
自动晶片 无
软件 MXNT

14、MX 204-48-37
应用
MX204-48-37 既可以作为手动加载的独立工具，也可以完全集成到自动化机器人系统中。它有 37 个测量点，能以高分辨率控制厚度、弯曲度和翘曲度。还可选配晶圆应力评估功能。通过上游定心站，不同尺寸的晶片无需更换即可使用。配有功能强大的MX-NT 操作软件。

测量类型：厚度 平整度（TTV）

特点：
晶片直径 100毫米、150毫米、200毫米
厚度精度 ±0.5 µm
分辨率 75nm
厚度范围 400 - 900 µm
自动晶片⼏何测量仪 是
软件 MXNT

15、MX 204-6-13-V
应用
用于 100-150mm 薄硅晶片的自动⼏何测量仪。

MX204-6-13-V 可作为手动装载的独立工具使用，也可完全集成到自动化机器人系统中。它有 13 个测量点，可控制背面研磨后的厚度、弯曲度和翘曲度。吞吐量至少为每小时 80 个晶片。通过上游定心站，不同尺寸的晶片无需更换即可使用。配有功能强大的MX-NT 操作软件。

测量类型：厚度 平整度（TTV）

特点：
晶片直径 125 毫米、150 毫米（100 毫米可选）
精度 ±1 微米
分辨率 0.1 微米
厚度范围 100 - 700 µm
自动晶片⼏何测量仪 是
弯曲度和翘曲度包括重力连接 无
软件 MXNT

16、MX 204-6-33
应用
MX204-6-33 既可以作为手动装载的独立工具，也可以完全集成到自动化机器人系统中。它有 33 个测量点，能以高分辨率控制厚度、弯曲度和翘曲度。还可选配晶圆应力评估功能。通过上游定心站，不同尺寸的晶片无需更换即可使用。配有功能强大的MX-NT 操作软件。
测量类型：厚度 平整度（TTV）

特点：
晶片直径 125 毫米、150 毫米（100 毫米可选）
厚度精度 ±0.6 µm
分辨率 50nm
厚度范围 100 - 700 µm
自动晶片⼏何测量仪 是
弯曲度和翘曲度包括重力连接 无
软件 MXNT

17、MX 204-8-21-TKO2
应用
用于 150mm 和 200mm 薄 Taiko 硅晶片的自动⼏何测量仪。

MX204-8-21-TKO2 可作为手动装载的独立工具使用，也可完全集成到自动机器人系统中。特别适用于带或不带保护带的 Taiko 硅晶片。通过 21 个测量点，可以控制背面研磨后的厚度、弯曲度和翘曲度。吞吐量至少为每小时 80 个晶片。通过上游定心站，不同尺寸的晶片无需更换即可使用。配有功能强大的MX-NT 操作软件。
测量类型：厚度 平整度（TTV）

特点：
晶片直径 150 毫米、200 毫米
精度 ±1 微米
分辨率 0.1 µm
厚度范围 50 - 500 µm（TAIKO 环可达 750 µm）
自动晶片⼏何测量仪 是
弯曲度和翘曲度包括重力连接 无
软件 MXNT

18、MX 204-8-21-V
应用
用于 150 毫米和 200 毫米薄硅片的自动⼏何测量仪。
MX204-8-21-V 可作为手动加载的独立工具使用，也可完全集成到自动化机器人系统中。它有 21 个测量点，可控制背面研磨后的厚度、弯曲度和翘曲度。吞吐量至少为每小时 80 个晶片。通过上游定心站，不同尺寸的晶片无需更换即可使用。配有功能强大的MX-NT 软件。

测量类型：厚度 平整度（TTV）

特点：
晶片直径 150 毫米、200 毫米
精度 ±1 微米
分辨率 0.1 微米
厚度范围 100 - 700 µm
自动晶片⼏何测量仪 有
弯曲度和翘曲度包括重力连接 无
软件 MXNT

19、MX 204-8-37
应用：
用于 150 毫米和 200 毫米硅晶片的自动⼏何测量仪。
MX204-8-37 可作为手动加载的独立工具使用，也可完全集成到自动化机器人系统中。它有 37 个测量点，能以高分辨率控制厚度、弯曲度和翘曲度。还可选配晶圆应力评估功能。通过上游定心站，不同尺寸的晶片无需更换即可使用。配有功能强大的MX-NT 操作软件。

测量类型：厚度 平整度（TTV）

特点：
晶片直径 150 毫米、200 毫米
厚度精度 ±0.5 µm
分辨率 50nm
厚度范围 400 - 900 µm
自动晶片⼏何测量仪 是
软件 MXNT