项目 |
内容 |
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分辨率 |
1.2 nm @ 30 kV |
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放大倍率 |
10 - 600,000× (底片倍率), 18 - 1,000,000× (800 × 600 像素) |
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电子光学系统 |
电子枪 |
ZrO /W 肖特基式电子枪 |
加速电压 |
0.5 - 30 kV (0.1 kV 步进) |
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着陆电压 |
减速模式: 0.1 - 2.0 kV *1 |
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大束流 |
> 200 nA |
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探测器 |
低位二次电子探测器 |
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低真空模式*2 |
真空范围: 10 - 300 Pa |
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马达台 |
马达台控制 |
5 - 轴自动 (优中心) |
可动范围 |
X:0~100mm |
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大样品尺寸 |
大直径: 200 mm |
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选配探测器 |
高分辨率顶位二次电子探测器*1 高灵敏度低真空探测器 (UVD) 5分割半导体探测器 (PD-BSD)*3 能谱仪 (EDS) 波谱仪 (WDS) 背散射电子衍射探测器 (EBSD) |
*1:减速功能(包含高分辨率顶位二次电子探测器)
*2:低真空功能(包含5分割半导体探测器)
*3:空压机(本地采购)