离子研磨仪IM4000II规格:
主要内容 |
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使用气体 |
氩气 |
氩气流量控制方式 |
质量流量控制 |
加速电压 |
0.0 ~ 6.0 kV |
尺寸 |
616(W) × 736(D) × 312(H) mm |
重量 |
主机53 kg+机械泵30 kg |
截面研磨 |
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快研磨速度(Si材料) |
500 µm/h*1以上 |
大样品尺寸 |
20(W)×12(D)×7(H)mm |
样品移动范围 |
X±7 mm、Y 0 ~+3 mm |
离子束间歇加工功能 |
1秒 ~ 59分59秒 |
摆动角度 |
±15°、±30°、±40° |
广域截面研磨功能 |
- |
平面研磨 |
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大加工范围 |
φ32 mm |
大样品尺寸 |
Φ50 X 25 (H) mm |
样品移动范围 |
X 0~+5 mm |
离子束间歇加工功能 |
1秒 ~ 59分59秒 |
旋转速度 |
1 rpm、25 rpm |
摆动角度 |
±60°、± 90° |
倾斜角度 |
0 ~ 90° |
*1将Si片从遮挡板边缘突出100 µm并加工1小时的深度。
选配项:
项目 |
内容 |
低温控制功能*2 |
通过液氮间接冷却样品,温度设定范围:0°C ~ -100°C |
硬遮挡板 |
使用时间约为标准遮挡板的2倍(不含钴) |
加工过程观察用显微镜 |
放大倍数 15× ~ 100× 双目型、三目型(可装CCD) |
*2需与主机同时订购。冷却温度控制功能在使用时,部分功能可能使用有限。